Qualcomm svarar på värmeproblem kopplade till Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6

Qualcomm har officiellt svarat på spekulationer om att Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 skulle drabbnas av överhettningsproblem, en idé som växte efter Samsung interna tester. Enligt bolagets marknadschef Don McGuire är dessa anklagelser helt felaktiga. McGuire gjorde sitt tal på plattformen X, där han också avstyrkte varje form av värmeproblem kopplade till Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. Samtidigt skapade hans kommentar nya frågor, eftersom han endast refererade till standardmodellen Snapdragon 8 Elite Gen 6 utan att nämna Extreme-specifikationen. Detta har lett till osäkerhet kring vilken modell som faktiskt avses.

Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 kan nå mycket höga klockfrekvenser på 5,00 GHz, vilket kräver högre energi och därmed ökar risken för termiska begränsningar. För att hantera detta har Qualcomm inte bara övergått till TSMCs 2 nm tillverkningsprocess, utan också integrerat en särskild packningsteknik kallad Offset PoP. Denna teknik placerar värmeledande material direkt ovanpå DRAM-kristallernas yta istället för på själva kristallen, vilket ska minska temperaturer. Enligt tidigare tester räcker denna teknik till så att en referensdesign för en smarttelefon håller sig under sin maxgräns i 15 minuter, vilket är dubbelt så lång tid jämfört med enheter med Snapdragon 8 Elite Gen 5. Vissa analytiker tror att rapporteringen om problemen kan vara en del av en kampanj från en sydkoreansk medieoutlåtande enhet, med syfte att förbättra uppfattningen om Samsung och deras Exynos 2700. Samsung förväntas lansera sin egen 2 nm ampassningschip innan år 2026 tar slut.

Efter McGuires kommentarer har många undrat exakt vilken modell som avses, och Qualcomms bristande klargöranden har förväntningarna kring en snar framträdande förklaring. ShiftDelete rapporterade om storyn först.