טענות על בעיית התחממות במעבד Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6

חברת Qualcomm מתמודדת עם טענות בדבר בעיית התחממות במעבד Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, אשר עלו בעקבות בדיקות פנימיות של חברת Samsung.

את הסיפור דיווח כלי התקשורת ShiftDelete. סגן נשיא השיווק של Qualcomm, Don McGuire, פרסם הודעה ברשת החברתית X שבה טען כי הטענות אינן נכונות. עם זאת, התגובה עוררה סימני שאלה מכיוון ש-McGuire התייחס לדגם הסטנדרטי של Snapdragon 8 Elite Gen 6 ולא השתמש במפורש במונח Extreme, מה שיצר אי-ודאות לגבי הדגם המדובר.

המעבד מדגם Extreme עשוי להגיע למהירויות שעון של 5.00GHz באמצעות שימוש במגבלות הספק גבוהות יותר, דבר שעלול להוביל למגבלות תרמיות בעת עבודה ברמות ביצועים מקסימליות. כדי לנהל את נושא ההתחממות, Qualcomm עברה לתהליך ייצור של 2 ננומטר של TSMC ושילבה טכנולוגיית אריזה מיוחדת הנקראת Offset PoP. טכנולוגיה זו מציבה את גוף קירור החום על גבי תבנית ה-DRAM במקום ישירות על הסיליקון, במטרה לשמר ערכי ביצועים בני קיימא.

בבדיקות קודמות, עיצוב ייחוס של טלפון חכם הגיע לסף הטמפרטורה המקסימלי שלו תוך 15 דקות הודות לטכנולוגיה זו, זמן שמהווה פי שניים מזמן הביצועים של מכשירים המשתמשים ב-Snapdragon 8 Elite Gen 5.

אנליסטים מעריכים כי ייתכן שהטענות, שהגיעו מכלי תקשורת דרום קוריאני, הן חלק מקמפיין להצגת מעבד ה-Exynos 2700 של Samsung באור חיובי. מעבד הדגל של Samsung בטכנולוגיית 2 ננומטר צפוי להיות מוכרז לפני סוף שנת 2026, ויצירת תפיסה שלילית לגבי מעבדים מתחרים עשויה לספק לחברה יתרון אסטרטגי. נציגי התעשייה והמשתמשים ממתינים להבהרה נוספת מ-Qualcomm לגבי ההבדלים הטכניים בין שני הדגמים.

לפי ShiftDelete.